AMD RX570 8 GB
동전
Mem.
vendor
vendor
해시 레이트
Wt (socket)
Core
Mem.
Core
voltage
voltage
Mem.
voltage
voltage
VDDCI
voltage
voltage
순이익
동전:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
해시 레이트: 14.76 MH/s
Wt (socket) 200
Core: 1200
Mem.: 2150
Core voltage: 904
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.24$
동전:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
해시 레이트: 14.76 MH/s
Wt (socket) 200
Core: 1200
Mem.: 2150
Core voltage: 904
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.238$
동전:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
해시 레이트: 14.53 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1200
Mem.: 2100
Core voltage: 876
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.236$
동전:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
해시 레이트: 14.45 MH/s
Wt (socket) 180
Core: 1180
Mem.: 2100
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.235$
동전:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
해시 레이트: 14.53 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1200
Mem.: 2100
Core voltage: 876
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.234$
동전:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
해시 레이트: 14.45 MH/s
Wt (socket) 180
Core: 1180
Mem.: 2100
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.233$
동전:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
해시 레이트: 14.23 MH/s
Wt (socket) 196
Core: 1156
Mem.: 2050
Core voltage: 844
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.231$
동전:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
해시 레이트: 14.23 MH/s
Wt (socket) 196
Core: 1156
Mem.: 2050
Core voltage: 844
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.229$
동전:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
해시 레이트: 14 MH/s
Wt (socket) 186
Core: 1150
Mem.: 2013
Core voltage: 812
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.228$
동전:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
해시 레이트: 13.89 MH/s
Wt (socket) 155
Core: 1135
Mem.: 2025
Core voltage: 844
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.226$
동전:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
해시 레이트: 14 MH/s
Wt (socket) 186
Core: 1150
Mem.: 2013
Core voltage: 812
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.225$
동전:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
해시 레이트: 13.89 MH/s
Wt (socket) 155
Core: 1135
Mem.: 2025
Core voltage: 844
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.224$
동전:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
해시 레이트: 14.76 MH/s
Wt (socket) 200
Core: 1200
Mem.: 2150
Core voltage: 904
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.218$
동전:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
해시 레이트: 13.34 MH/s
Wt (socket) 125
Core: 1076
Mem.: 1925
Core voltage: 794
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.217$
동전:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
해시 레이트: 13.34 MH/s
Wt (socket) 125
Core: 1076
Mem.: 1925
Core voltage: 794
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.215$
동전:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
해시 레이트: 14.53 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1200
Mem.: 2100
Core voltage: 876
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.214$
동전:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
해시 레이트: 14.45 MH/s
Wt (socket) 180
Core: 1180
Mem.: 2100
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.213$
동전:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
해시 레이트: 12.99 MH/s
Wt (socket) 97
Core: 1050
Mem.: 1950
Core voltage: 775
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
순이익
0.211$
동전:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
해시 레이트: 14.23 MH/s
Wt (socket) 196
Core: 1156
Mem.: 2050
Core voltage: 844
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.21$
동전:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
해시 레이트: 12.99 MH/s
Wt (socket) 97
Core: 1050
Mem.: 1950
Core voltage: 775
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
순이익
0.209$
동전:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
해시 레이트: 14 MH/s
Wt (socket) 186
Core: 1150
Mem.: 2013
Core voltage: 812
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.206$
동전:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
해시 레이트: 13.89 MH/s
Wt (socket) 155
Core: 1135
Mem.: 2025
Core voltage: 844
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.205$
동전:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
해시 레이트: 13.34 MH/s
Wt (socket) 125
Core: 1076
Mem.: 1925
Core voltage: 794
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.197$
동전:
Kawpow
Mem. vendor:
해시 레이트: 13 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
순이익
0.194$
동전:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
해시 레이트: 12.99 MH/s
Wt (socket) 97
Core: 1050
Mem.: 1950
Core voltage: 775
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
순이익
0.191$
동전:
FiroPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
해시 레이트: 14.76 MH/s
Wt (socket) 196
Core: 1200
Mem.: 2150
Core voltage: 904
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.178$
동전:
FiroPow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
해시 레이트: 14.53 MH/s
Wt (socket) 172
Core: 1200
Mem.: 2100
Core voltage: 876
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.175$
동전:
FiroPow
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
해시 레이트: 14.45 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1180
Mem.: 2100
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.174$
동전:
FiroPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
해시 레이트: 14.23 MH/s
Wt (socket) 192
Core: 1156
Mem.: 2050
Core voltage: 844
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.171$
동전:
FiroPow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
해시 레이트: 14 MH/s
Wt (socket) 182
Core: 1150
Mem.: 2013
Core voltage: 812
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.169$
동전:
FiroPow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
해시 레이트: 13.89 MH/s
Wt (socket) 151
Core: 1135
Mem.: 2025
Core voltage: 844
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.167$
동전:
FiroPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
해시 레이트: 13.34 MH/s
Wt (socket) 121
Core: 1076
Mem.: 1925
Core voltage: 794
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.161$
동전:
FiroPow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
해시 레이트: 12.99 MH/s
Wt (socket) 94
Core: 1050
Mem.: 1950
Core voltage: 775
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
순이익
0.156$
동전:
Verthash
Mem. vendor:
해시 레이트: 535 kH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
순이익
0.137$
동전:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
해시 레이트: 59.33 MH/s
Wt (socket) 117
Core: 1200
Mem.: 1963
Core voltage: 896
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.112$
동전:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
해시 레이트: 58.39 MH/s
Wt (socket) 103
Core: 1200
Mem.: 1920
Core voltage: 869
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.11$
동전:
Autolykos
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
해시 레이트: 58.1 MH/s
Wt (socket) 105
Core: 1180
Mem.: 1925
Core voltage: 830
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.109$
동전:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
해시 레이트: 57.2 MH/s
Wt (socket) 115
Core: 1156
Mem.: 1875
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.108$
동전:
Autolykos
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
해시 레이트: 56.26 MH/s
Wt (socket) 109
Core: 1150
Mem.: 1850
Core voltage: 806
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.106$
동전:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
해시 레이트: 55.82 MH/s
Wt (socket) 91
Core: 1135
Mem.: 1852
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.105$
동전:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
해시 레이트: 32.57 MH/s
Wt (socket) 151
Core: 1200
Mem.: 2175
Core voltage: 910
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.103$
동전:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
해시 레이트: 32.05 MH/s
Wt (socket) 133
Core: 1200
Mem.: 2125
Core voltage: 882
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.101$
동전:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
해시 레이트: 53.61 MH/s
Wt (socket) 73
Core: 1076
Mem.: 1762
Core voltage: 788
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.101$
동전:
Ethash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
해시 레이트: 31.89 MH/s
Wt (socket) 136
Core: 1180
Mem.: 2125
Core voltage: 843
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
순이익
0.101$
동전:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
해시 레이트: 31.4 MH/s
Wt (socket) 148
Core: 1156
Mem.: 2075
Core voltage: 850
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
순이익
0.099$
동전:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
해시 레이트: 52.23 MH/s
Wt (socket) 57
Core: 1050
Mem.: 1788
Core voltage: 768
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
순이익
0.098$
동전:
Ethash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
해시 레이트: 30.88 MH/s
Wt (socket) 140
Core: 1150
Mem.: 2038
Core voltage: 818
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
순이익
0.098$
동전:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
해시 레이트: 30.64 MH/s
Wt (socket) 117
Core: 1135
Mem.: 2050
Core voltage: 850
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
순이익
0.097$
동전:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
해시 레이트: 29.43 MH/s
Wt (socket) 94
Core: 1076
Mem.: 1950
Core voltage: 800
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
순이익
0.093$
동전:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
해시 레이트: 28.67 MH/s
Wt (socket) 73
Core: 1050
Mem.: 1975
Core voltage: 780
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 750
순이익
0.091$
동전:
Etchash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
해시 레이트: 32.57 MH/s
Wt (socket) 151
Core: 1200
Mem.: 2175
Core voltage: 910
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.086$
동전:
Etchash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
해시 레이트: 32.05 MH/s
Wt (socket) 133
Core: 1200
Mem.: 2125
Core voltage: 882
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.085$
동전:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
해시 레이트: 32.57 MH/s
Wt (socket) 151
Core: 1200
Mem.: 2175
Core voltage: 910
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.085$
동전:
Etchash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
해시 레이트: 31.89 MH/s
Wt (socket) 136
Core: 1180
Mem.: 2125
Core voltage: 843
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
순이익
0.084$
동전:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
해시 레이트: 32.05 MH/s
Wt (socket) 133
Core: 1200
Mem.: 2125
Core voltage: 882
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.083$
동전:
Etchash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
해시 레이트: 31.4 MH/s
Wt (socket) 148
Core: 1156
Mem.: 2075
Core voltage: 850
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
순이익
0.083$
동전:
Ethash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
해시 레이트: 31.89 MH/s
Wt (socket) 136
Core: 1180
Mem.: 2125
Core voltage: 843
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
순이익
0.083$
동전:
Etchash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
해시 레이트: 30.88 MH/s
Wt (socket) 140
Core: 1150
Mem.: 2038
Core voltage: 818
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
순이익
0.082$
동전:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
해시 레이트: 31.4 MH/s
Wt (socket) 148
Core: 1156
Mem.: 2075
Core voltage: 850
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
순이익
0.082$
동전:
Etchash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
해시 레이트: 30.64 MH/s
Wt (socket) 117
Core: 1135
Mem.: 2050
Core voltage: 850
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
순이익
0.081$
동전:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
해시 레이트: 30.3 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 211
Core: 1250
Mem.: 2150
Core voltage: 957
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.081$
동전:
Ethash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
해시 레이트: 30.88 MH/s
Wt (socket) 140
Core: 1150
Mem.: 2038
Core voltage: 818
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
순이익
0.08$
동전:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
해시 레이트: 30.64 MH/s
Wt (socket) 117
Core: 1135
Mem.: 2050
Core voltage: 850
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
순이익
0.08$
동전:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
해시 레이트: 29.82 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 186
Core: 1250
Mem.: 2100
Core voltage: 927
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.079$
동전:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
해시 레이트: 30.3 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 211
Core: 1250
Mem.: 2150
Core voltage: 957
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.079$
동전:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
해시 레이트: 29.67 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 190
Core: 1229
Mem.: 2100
Core voltage: 886
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.079$
동전:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
해시 레이트: 29.82 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 186
Core: 1250
Mem.: 2100
Core voltage: 927
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.078$
동전:
Etchash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
해시 레이트: 29.43 MH/s
Wt (socket) 94
Core: 1076
Mem.: 1950
Core voltage: 800
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
순이익
0.078$
동전:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
해시 레이트: 29.21 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 207
Core: 1204
Mem.: 2050
Core voltage: 894
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.078$
동전:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
해시 레이트: 29.67 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 190
Core: 1229
Mem.: 2100
Core voltage: 886
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.078$
동전:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
해시 레이트: 29.43 MH/s
Wt (socket) 94
Core: 1076
Mem.: 1950
Core voltage: 800
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
순이익
0.077$
동전:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
해시 레이트: 28.73 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 196
Core: 1198
Mem.: 2013
Core voltage: 860
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.077$
동전:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
해시 레이트: 29.21 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 207
Core: 1204
Mem.: 2050
Core voltage: 894
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.076$
동전:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
해시 레이트: 28.51 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 164
Core: 1182
Mem.: 2025
Core voltage: 894
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.076$
동전:
Etchash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
해시 레이트: 28.67 MH/s
Wt (socket) 73
Core: 1050
Mem.: 1975
Core voltage: 780
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 750
순이익
0.076$
동전:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
해시 레이트: 28.73 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 196
Core: 1198
Mem.: 2013
Core voltage: 860
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.075$
동전:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
해시 레이트: 28.51 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 164
Core: 1182
Mem.: 2025
Core voltage: 894
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.075$
동전:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
해시 레이트: 28.67 MH/s
Wt (socket) 73
Core: 1050
Mem.: 1975
Core voltage: 780
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 750
순이익
0.075$
동전:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
해시 레이트: 27.38 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 132
Core: 1120
Mem.: 1925
Core voltage: 841
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.073$
동전:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
해시 레이트: 27.38 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 132
Core: 1120
Mem.: 1925
Core voltage: 841
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.072$
동전:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
해시 레이트: 26.67 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 102
Core: 1093
Mem.: 1950
Core voltage: 820
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
순이익
0.071$
동전:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
해시 레이트: 26.67 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 102
Core: 1093
Mem.: 1950
Core voltage: 820
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
순이익
0.07$
동전:
Blake 3
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
해시 레이트: 0.482 GH/s
Wt (socket) 128
Core: 1265
Mem.: 300
Core voltage: 918
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.053$
동전:
Blake 3
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
해시 레이트: 0.474 GH/s
Wt (socket) 113
Core: 1265
Mem.: 300
Core voltage: 893
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.052$
동전:
Blake 3
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
해시 레이트: 0.472 GH/s
Wt (socket) 116
Core: 1244
Mem.: 300
Core voltage: 856
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.052$
동전:
Blake 3
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
해시 레이트: 0.464 GH/s
Wt (socket) 126
Core: 1219
Mem.: 300
Core voltage: 862
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.051$
동전:
NexaPow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
해시 레이트: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
순이익
0.051$
동전:
NexaPow
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
해시 레이트: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
순이익
0.051$
동전:
NexaPow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
해시 레이트: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
순이익
0.051$
동전:
NexaPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
해시 레이트: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
순이익
0.051$
동전:
NexaPow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
해시 레이트: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
순이익
0.051$
동전:
NexaPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
해시 레이트: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
순이익
0.051$
동전:
NexaPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
해시 레이트: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
순이익
0.051$
동전:
NexaPow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
해시 레이트: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
순이익
0.051$
동전:
Blake 3
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
해시 레이트: 0.457 GH/s
Wt (socket) 119
Core: 1212
Mem.: 300
Core voltage: 831
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.05$
동전:
Blake 3
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
해시 레이트: 0.453 GH/s
Wt (socket) 99
Core: 1197
Mem.: 300
Core voltage: 862
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.049$
동전:
Blake 3
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
해시 레이트: 0.435 GH/s
Wt (socket) 80
Core: 1134
Mem.: 300
Core voltage: 812
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.047$
동전:
Blake 3
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
해시 레이트: 0.424 GH/s
Wt (socket) 76
Core: 1107
Mem.: 300
Core voltage: 793
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.046$
동전:
Pyrin
Mem. vendor:
해시 레이트: 600 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
순이익
0.042$
동전:
Karlsen
Mem. vendor:
해시 레이트: 210 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
순이익
0.041$
동전:
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
해시 레이트: 148.94 MH/s
Wt (socket) 132
Core: 1265
Mem.: 300
Core voltage: 923
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.001$
동전:
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
해시 레이트: 146.56 MH/s
Wt (socket) 116
Core: 1265
Mem.: 300
Core voltage: 894
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.001$
동전:
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
해시 레이트: 145.83 MH/s
Wt (socket) 119
Core: 1244
Mem.: 300
Core voltage: 855
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.001$
동전:
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
해시 레이트: 143.59 MH/s
Wt (socket) 130
Core: 1219
Mem.: 300
Core voltage: 862
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.001$
동전:
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
해시 레이트: 141.21 MH/s
Wt (socket) 123
Core: 1212
Mem.: 300
Core voltage: 829
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.001$
동전:
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
해시 레이트: 140.11 MH/s
Wt (socket) 102
Core: 1197
Mem.: 300
Core voltage: 862
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.001$
동전:
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
해시 레이트: 134.58 MH/s
Wt (socket) 82
Core: 1134
Mem.: 300
Core voltage: 811
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
순이익
0.001$
동전:
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
해시 레이트: 131.1 MH/s
Wt (socket) 64
Core: 1107
Mem.: 300
Core voltage: 791
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
순이익
0.001$
제조사
출시일
0
프로세서
출시 가격
0$
현재 가격
0$
TDP
0W
메모리 유형
메모리
0GB
버스 폭
0
AMD RX570 8 GB 비디오 카드. 사양, 가격, 해시레이트
출시일 및 가격
AMD RX570 비디 카드가 2017에서 출시되었습니다. 출시 가격 - 0.00 $. 현재 대략적인 가격 - 336.00 $. AMD RX570 카드 구매 여부를 결정하기 전에 비디오 카드 출시 연도와 비교하여 가격 변동을 확인하시기 바랍니다.
마이닝의 RX570
RX570 비디오 카드로 채굴하기 가장 좋은 코인 - MeowCoin, 해시레이트를 제공합니다 14.76 MH/s. 현재 일일 난이도에서는 0.240 $를 받을 수 있으므로 RX570 ROI는 1401일입니다.
RX570 소비
RX570 TDP는 150 와트인 반면 마이닝에서는 평균 200 와트를 소비합니다.
